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Aug 15, 2025

Diodos de proteção ESD Nexperia para USB4 e Thunderbolt ...

A Nexperia lançou uma série de cinco diodos de proteção de 1 V projetados para linhas de transmissão de RF acopladas em CA, com o objetivo de proteger as interfaces USB4® e Thunderbolt™ contra descargas eletrostáticas

A Nexperia lançou uma série de cinco diodos de proteção de 1 V projetados para linhas de transmissão de RF acopladas em CA, visando proteger interfaces USB4® e Thunderbolt™ contra descargas eletrostáticas (ESD), correntes de surto e condições de curto-circuito. Com taxas de dados acima de 10 GHz, esses diodos de proteção ESD atendem ao crescente desafio de preservar a integridade do sinal, ao mesmo tempo em que oferecem proteção robusta contra ESD.

Para os leitores da eeNews Europe que desenvolvem projetos de interface de alta velocidade, esses diodos oferecem uma abordagem personalizada para equilibrar o desempenho de RF e a robustez de ESD, especialmente onde as restrições de layout de PCB podem afetar os níveis de proteção e a qualidade da transmissão.

Exemplos da nova série incluem o PESD1V0C1BSF e o PESD1V0H1BSF, que, segundo a Nexperia, podem ser combinados com comprimentos e configurações específicos de traços de PCB. De acordo com Stefan Seider, gerente sênior de produtos da Nexperia, "com esta nova série de diodos de proteção, a Nexperia oferece aos projetistas a flexibilidade necessária para selecionar o dispositivo mais adequado ao layout específico de suas placas, oferecendo, assim, o mais alto nível de proteção". Ele acrescentou que a empresa pode fornecer modelos de simulação de RF e SEED (projeto de ESD com eficiência de sistema) para auxiliar na otimização.

Trilhas mais curtas na placa de circuito impresso (PCB) entre o circuito integrado do transceptor e o dispositivo de proteção podem reduzir a indutância parasita, mas podem reduzir a robustez geral da ESD. Por outro lado, trilhas mais longas reduzem os problemas de clampeamento, mas podem introduzir degradação do sinal. Ao oferecer múltiplas opções de dispositivos com parâmetros variados, a Nexperia visa dar aos projetistas a capacidade de ajustar sua estratégia de proteção sem sacrificar o desempenho de RF.

Os diodos protegem contra eventos de ESD de até ±18 kV e oferecem robustez contra surtos de até 9,6 A. Sua capacitância ultrabaixa, de até 0,1 pF, minimiza a perda de inserção (tão baixa quanto –0,21 dB a 12,8 GHz) e evita ressonâncias de até 40 GHz.

Os dispositivos são alojados no encapsulamento sem fio DSN0603-2 (SOD962-2), projetado para indutância ultrabaixa. Isso os torna adequados para dispositivos portáteis, sistemas de comunicação, periféricos de computação e outras aplicações onde tanto o espaço da placa quanto a fidelidade do sinal são essenciais.

Mais informações estão disponíveis na página do produto Nexperia.